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領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商 UnitedSiC 繼續擴展其 FET 產品組合，推出了六種新的 650V 和 1200V 選項，全部采用行業標準 D2PAK-7L 表面掛載包。這些最新的 SiC FET 提供 30、40、80 和 150mΩ 版本，代表著在加速向 SiC 跨服務器和電信電源、工業電池充電器和電源、EV 車載充電器和 DC-DC 等應用遷移的過程中又向前邁進了一步轉換器。

D2PAK-7L SiC FET 支持顯著提高的開關速度，通過開爾文源極連接提高柵極驅動返回性能，并提供行業領先的散熱能力。通過使用銀燒結，可以在傳統的 PCB 以及復雜的絕緣金屬基板 (IMS) 布置上完成芯片連接。此外，它們分別具有 6.7 毫米和 6.1 毫米的出色爬電距離和電氣間隙數據——這意味著即使在高電壓下也可以確保最高程度的操作安全性。

UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 表示：“通過這些最新 FET 的快速開關能力，以及 Ag 燒結帶來的卓越熱性能，我們將繼續為電源設計人員帶來性能、可靠性、尺寸和布局優勢。”

UnitedSiC 的FET-Jet Calculator™完全支持新的 D2PAK-7L 器件。利用這個免費的在線資源，工程師可以評估其應用所需的不同操作參數，進行詳細的性能比較，然后快速而自信地確定哪個是滿足其設計要求的最佳 SiC 解決方案。

新型 650V D2PAK-7L SiC FET 的價格（1000 片以上，美國離岸價）從 UF3C065080B7S 的 3.27 美元到 UF3SC065030B7S 的 7.54 美元不等。對于 1200V D2PAK-7L 器件，價格從 UF3C120150B7S 的 3.10 美元到 UF3SC120040B7S 的 10.91 美元不等。所有器件均可從 UnitedSiC 授權UnitedSiC代理商處獲得。