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碳化硅 (SiC) 功率半導體的領先制造商 UnitedSiC 已響應電源設計人員對更高性能、更高效率的 SiC FET 的要求，宣布推出業界最佳的 750V， 6 毫歐裝置。在 R DS(on)值不到最接近的 SiC MOSFET 競爭對手的一半，新的 6mohm 器件還提供 5μs 的穩健短路耐受時間額定值。今天發布的產品包括 750V SiC FET 系列中的 9 種新器件/封裝選項，額定值為 6、9、11、23、33 和 44mohms。所有器件均采用 TO-247-4L 封裝，而 18、23、33、44 和 60mohm 器件也采用 TO-247-3L 封裝。與現有的 18 和 60mohm 器件相輔相成，這個 750V 擴展系列為設計人員提供了更多的器件選擇，實現了更大的設計靈活性，以實現最佳的成本/效率權衡，同時保持充足的設計余量和電路穩健性。

UnitedSiC 的第 4 代 SiC FET 是 SiC JFET 和共同封裝的硅 MOSFET 的“共源共柵”。這些共同提供了寬帶隙技術的全部優勢——高速、低損耗和高溫操作，同時保持簡單、穩定和強大的柵極驅動和集成 ESD 保護。這些優勢通過品質因數 (FoM) 進行量化，例如 R DS(on) x A，衡量每單位芯片面積的傳導損耗。第 4 代 SiC FET 在高和低芯片溫度下均達到市場最低值。FoM R DS(on) x E OSS/ Q OSS在硬開關應用中很重要，是最接近的競爭對手值的一半。FoM R DS(on) x C OSS(tr)在軟開關應用中至關重要，UnitedSiC 器件的價值比競爭對手的器件低約 30%，額定電壓為 650V，而 UnitedSiC 的額定電壓為 750V。對于硬開關應用，SiC FET 的集成體二極管在恢復速度和正向壓降方面優于競爭的 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 技術。第 4 代技術的其他優勢包括通過先進的晶圓減薄技術和銀燒結芯片連接降低芯片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出，以實現低芯片溫升。

憑借在開關效率和導通電阻方面的最新改進，新型 UnitedSiC SiC FET 非常適合具有挑戰性的新興應用。其中包括電動汽車中的牽引驅動器和車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數校正、電信轉換器和 AC/DC 或 DC/DC 電源轉換中單向和雙向功率轉換的所有階段。成熟的應用也受益于使用這些器件輕松提高效率，因為它們向后兼容 Si MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器以及成熟的 TO-247 封裝。

正如 UnitedSiC 總裁兼首席執行官 Chris Dries 所說：“UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 無疑是競爭技術中的性能領導者，并為寬帶隙開關技術樹立了新的標桿。新增的產品系列現在為所有性能和預算規格以及更廣泛的應用提供了更多選擇。”

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的定價（1000 片以上，美國離岸價）從 UJ4C075044K3S 的 4.15 美元到 UJ4SC075006K4S 的 23.46 美元不等。所有設備均可從授權UnitedSiC代理商處獲得。