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利用 Sanken 的下一代功率半導體 SiC（碳化硅）能實現采用肖特基勢壘配置并具有 650 V 擊穿電壓的產品。

FMCA 系列二極管適用于連續電流模式 PFC 電路。 當用擊穿電壓為 600 V 的快速恢復整流器二極管替換時，該器件能降低恢復電流造成的功率損耗。 因此，該器件的節能效果巨大。 此外，通過其快速切換能力還可實現設備小型化。

SiC 肖特基勢壘二極管有助于將電源損耗降至最低，如服務器的電源損耗，它會隨著大數據處理任務的增加而增大。 該器件還有助于減小電氣設備體積。

特性：

利用 SiC-SBD 的低恢復損耗特性提高電源能效

低電阻、高速開關式 SiC MOSFET 實現了一種緊湊的高能效電源

由于提升了高溫期間的電流，所以不會出現熱失控，進而能保持開關性能穩定