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用于最新脈沖雷達系統設計的 GaN-on-SiC 射頻功率晶體管。

Integra 的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC、GaN/SiC）HEMT 射頻功率晶體管器件是射頻功率晶體管技術中的最新產品。它們提供從 UHF 到 C 波段微波頻率的高增益和高功率水平，并且它們的碳化硅 (SiC) 基板提供出色的熱量提取，以實現長期可靠性和最佳功率密度。這套固態射頻功率晶體管包括可提供高達 77% 功率效率和高達 1200 W 功率的型號。它們非常適合脈沖雷達應用中的高功率放大器 (HPA) 設計，包括 商業空中交通管制 (ATC) 和軍事系統。

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