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ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低壓存儲器件，具有 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。這些器件被組織為每個器件 1/2 個通道，每通道 8 個存儲體 16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用雙倍傳輸速率架構來實現(xiàn)高速工作。這種雙倍傳輸速率架構本質上是 16N 預取架構，具有在 I/O 引腳上每時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字的接口。

LPDDR4 和 LPDDR4X 具有完全同步的工作模式，以時鐘的上升沿和下降沿為基準。數(shù)據(jù)路徑是內部流水線式和 16N 位預取式，用于達到很高的帶寬。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可編程實時猝發(fā)長度的可編程讀寫延遲。這些器件的低壓內核和 I/O 使它們成為移動應用的理想選擇。

特性

低電壓

LPDDR4: 1.8 V

LPDDR4X: 1.1 V

低壓 I/O

LPDDR4: 1.1 V

LPDDR4X: 0.6 V

10 MHz 至 1600 MHz 頻率范圍

每個 I/O 傳輸速率 20 Mbps 至 3200 Mbps

16N 預取 DDR 架構

每個通道八個內部存儲體，用于并行工作

多路復用，雙倍傳輸速率，指令/地址輸入

移動功能可降低功耗

可編程的實時猝發(fā)長度（BL = 16 或 32）

可編程的讀寫延遲

片載溫度傳感器可實現(xiàn)有效的自刷新控制

ZQ 校準

可調驅動強度

局部陣列自刷新 (PASR)

10 mm x 14.5 mm BGA-200 封裝

時鐘頻率：1.6 GHz

內存格式：DRAM

內存接口：并行

內存類型：易失性

安裝類型：表面貼裝

工作溫度：-40°C 至 95°C (TC)

封裝/外殼：200-TFBGA 至 200-WFBGA

技術：SDRAM 移動版 LPDDR4

電源電壓：1.06 V 至 1.17 V，1.7 V 至 1.95 V