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Everspin Technologies 希望，隨著其 MRAM 產量的增加，特定行業將更青睞價值而非每比特價格。

MRAM 先驅者剛剛發布了一份與 SMART Modular Technologies 聯合交付的 nvNITRO 解決方案的應用白皮書。根據 Pat Patla 的說法，兩家公司合作開發了 nvNITRO NVMe 存儲加速器，并專注于聯合開發多個垂直市場，首先是金融技術 (FinTech) 領域，nvNITRO 可以增加數據吞吐量并減少關鍵存儲瓶頸，Everspin 營銷高級副總裁。

Patla 在接受 EE Times 的電話采訪時表示，nvNITRO NVMe 存儲加速器可以將金融交易的延遲減少 90%，這有助于金融科技公司滿足經常需要同步日志記錄的合規性規則。這會增加延遲并造成事務處理瓶頸。如白皮書所述，nvNITRO 顯著降低延遲的能力使金融科技公司能夠更快地記錄交易，從而增加整體交易量，并最終增加收入。同時，STT-MRAM 的持久性也有助于必要的合規性，因為所有數據日志都受到保護。

隨著 Everspin 開始大規模生產其 STT-MRAM，垂直焦點隨之而來。EverSpin代理商在 2017 年第四季度實現了其首個 40nm 256Mb STT-MRAM 產品的收入記錄的一個顯著里程碑，并在 2018 年增加其量產。有少數公司在使用 MRAM，但 Everspin 是唯一一家商業化的公司提供分立和嵌入式 MRAM 產品，部分歸功于與 GlobalFoundries 的合作。

Everspin 將其 256Mb STT-MRAM 吹捧為首款進入量產的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的設計盡可能接近標準，因此客戶可以通過一些微小的更改輕松地將其集成到他們的系統中，主要是內存控制器。Everspin 的 STT-MRAM 也符合 NVMe 標準。

Patla 承認，在制定標準之前，客戶會擔心獨家采購該技術。“DDDR5 是每個人都聚集的地方，”他說。

該公司通過提供接近 DRAM 的性能和非易失性，專注于需要快速、持久內存的領域。“閃存在旋轉媒體旁邊提供了出色的性能，但與 DRAM 或 MRAM 相比，它的速度要慢得多，”Patla 說。他將自旋扭矩 MRAM 描述為一個三足凳，由性能、耐力和鉆頭空氣速率組成，具有非易失性。

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Everspin 的 MRAM 技術使用垂直 MTJ。該公司已開發出具有高垂直磁各向異性的材料和垂直 MTJ 堆疊設計，可提供長數據保留、小單元尺寸、更大密度、高耐用性和低功耗。

除了看到采用 MRAM 價值的金融科技等特定垂直行業，Patla 表示，Everspin 的目標是三個領域：人工智能 (AI)、邊緣計算和數字化轉型，其中包括數據中心應用。由于 MRAM 僅用戶在讀寫時供電，因此隨著數據中心外部處理需求的增加和物聯網部署的增長，它非常適合邊緣計算環境。

Patla 說，價格不是 MRAM 采用的關鍵驅動因素。相反，需要快速、持久內存的特定應用程序正在指導客戶的決策。“人們購買的依據是價值主張，而不是每 GB 的美元，”他說。 

Coughlin Associates 創始人 Thomas Coughlin 表示，目前 MRAM 的價格仍然很高，但它是最有趣的新興內存技術，因為它的性能接近 SRAM 和 DRAM，而且它的耐用性非常高。Coughlin 說，MRAM 對緩存緩沖和特定應用很有意義，例如用于金融應用的 nvNITRO NVMe 存儲加速器。

“快速進行交易很重要，但記錄也同樣重要，”Coughlin 說。“這是一個有趣的案例研究。時間就是金錢，他們賺的比花的多。”

Coughlin 表示，專業的利基市場愿意為 MRAM 的速度和非易失性的結合買單。他指出，Everspin 的出貨量已經超過 7000 萬臺，它與 GlobalFoundries 的晶圓和嵌入式產品合作為增加產量提供了可能性。滿足吸引更多銷量的利基市場將有助于 Everspin 的 MRAM 變得更加主流。“這就是 GlobalFoundries 產品的用武之地，”他說。

Coughlin 表示，三星和臺積電今年也將生產 MRAM 產品，這增強了 MRAM 的有趣可能性。“這讓我認為人們普遍認為 MRAM 占有一席之地，”他說。

隨著其他 MRAM 制造商的成熟，例如 Spin Transfer Technologies，競爭可能導致價格受到擠壓。Coughlin 表示，擁有多個供應商會創造一個更有活力的市場，而 2018 年將是發展可行供應鏈的重要一年。

MRAM 不會立即在任何應用中取代 SRAM 和 DRAM，Coughlin，但這些存儲器和 NAND 閃存之間存在差距需要填補。“3D Xpoint 正試圖填補這一空白，但與 DRAM 相距甚遠，”他說。同樣重要的是要記住，閃存需要幾十年才能與硬盤競爭，他補充說。

與此同時，ReRAM 和 FRAM 作為填補 DRAM 和閃存之間空白的新興存儲器都值得關注，Coughlin 說。“這是一個名副其實的技術動物園，我們將不得不拭目以待，看看哪些動物在進化過程中幸存下來，”他補充道。