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圖片信息
CSD87355Q5DT圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：CSD87355Q5DT
  • 原始制造廠商：TI，德州儀器（Texas Instruments）
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載CSD87355Q5DT的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD87355Q5DT
  • 制造商：Texas Instruments
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：NexFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 N 溝道（雙）非對(duì)稱型
  • FET功能：邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：45A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：13.7nC @ 4.5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1860pF @ 15V
  • 功率-最大值：2.8W
  • 工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-PowerLDFN
  • CSD87355Q5DT均從TI代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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