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圖片信息
NAND01GW3B2AZA6E圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：NAND01GW3B2AZA6E
  • 原始制造廠商：ST，意法半導體
  • 技術標準參數：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 產品應用分類：存儲器
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：NAND01GW3B2AZA6E
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 產品系列：存儲器
  • 包裝：托盤
  • 系列：-
  • 零件狀態：停產
  • 存儲器類型：非易失
  • 存儲器格式：閃存
  • 技術：閃存 - NAND
  • 存儲容量：1Gb（128M x 8）
  • 存儲器接口：并聯
  • 時鐘頻率：-
  • 寫周期時間-字，頁：30ns
  • 訪問時間：30ns
  • 電壓-供電：2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產品封裝：63-TFBGA
  • NAND01GW3B2AZA6E均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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