深圳市南皇電子有限公司長期提供RS1E350BNTB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：RS1E350BNTB制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：35A（Ta）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 35A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：185nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7900pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：35W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-HSOPRS1E350BNTB均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
