深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IPB029N06N3 G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPB029N06N3 G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：120A（Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.9 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 118μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：165nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13000pF @ 30V功率 - 最大值：188W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2IPB029N06N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
